本标准为GB/T 32495-2016，标准的中文名称为表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法，标准的英文名称为Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Method for depth profiling of arsenic in silicon，本标准在2016-02-24发布，在2017-01-01开始实施。
该标准采用了标准ISO 12406-2010,IDT。
本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法,以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从15×1016 atoms/cm3～2.5 × 1021 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品,坑深在50 nm及以上。
本标准文件共有15页。
GB_T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法.pdf
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