SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

1092542239 · 发表于 2021-4-10 09:52

本标准为SJ/T 11586-2016，标准的中文名称为半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法，标准的英文名称为10keV X-ray total dose radiation testing method of semiconductor devices，本标准在2016-01-15发布，在2016-06-01开始实施。
本标准规定了使用X射线辐射源（平均能量约10 keV，最大能量不超过100 keV）对半导体器件（以下简称“器件”）进行总剂量电离辐照试验的方法和程序。本标准适用于半导体器件的总剂量电离辐照评估试验。本标准不适用于双极器件和电路的低剂量率总剂量辐照试验。
本标准文件共有13页。

SJ_T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法.pdf (7.25 MB)

asd1342710196 · 发表于 2022-1-31 05:31

这个好啊，谢谢了。

y5360331 · 发表于 2022-2-2 03:04

谢谢分享！！！！

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SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

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