氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法（GB/T 32189-2015），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会;全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会，英文名为Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope。
氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法（GB/T 32189-2015）是在2015-12-10发布，在2016-11-01开始实施。
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前,需经测试双方协商达成一致。
本标准文件共有12页。
GB_T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法.pdf
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