SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流

WZW064329430 · 发表于 2021-4-10 20:56

半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流（SJ/T 2658.3-2015），该标准的归口单位为工业和信息化部电子工业标准化研究院，英文名为Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 3:Reverse voltage and reverse current。
半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流（SJ/T 2658.3-2015）是在2015-10-10发布，在2016-04-01开始实施。
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
本标准文件共有6页。

SJ_T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流.pdf (2.07 MB)

q1922494944 · 发表于 2021-12-21 14:43

好资源，正好需要

a95411 · 发表于 2021-12-23 10:14

看一下

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SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流

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