SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法第9部分:辐射强度空间分布和半强度角

静候轮回 · 发表于 2021-4-11 17:48

半导体红外发射二极管测量方法第9部分:辐射强度空间分布和半强度角（SJ/T 2658.9-2015），该标准的归口单位为工业和信息化部电子工业标准化研究院，英文名为Measuring method for semiconductor infiared-emitting diode. Part 9:Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle。
半导体红外发射二极管测量方法第9部分:辐射强度空间分布和半强度角（SJ/T 2658.9-2015）是在2015-10-10发布，在2016-04-01开始实施。
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
本标准文件共有6页。

SJ_T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法第9部分_辐射强度空间分布和半强度角.pdf (2.29 MB)

1336877987 · 发表于 2022-1-4 04:06

强强强强

阿斯利康 · 发表于 2022-3-22 19:47

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