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SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法

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1564788269 发表于 2021-4-10 15:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
砷化镓晶片热稳定性的试验方法(SJ/T 11497-2015),该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会,英文名为Test method for thermal stability testing of gallium arsenide wafers。
砷化镓晶片热稳定性的试验方法(SJ/T 11497-2015)是在2015-04-30发布,在2015-10-01开始实施。
本标准规定了半绝缘砷化镓(GaAs)晶片热稳定性的试验方法。本标准适用于电阻率在10^4Ω·cm~10^9Ω·cm范围半绝缘砷化稼单晶材料的热稳定性试验。
本标准文件共有8页。
SJ_T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法.pdf (1 MB)
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Yy20074丶小征 发表于 2021-12-29 20:38 | 显示全部楼层
看看先
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33333 发表于 2022-9-25 21:07 | 显示全部楼层
谢谢分享!!!!
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