本标准为GB/T 31351-2014，标准的中文名称为碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法，标准的英文名称为Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers，本标准在2014-12-31发布，在2015-09-01开始实施。
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的徽管密度的无损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
本标准文件共有7页。 GB_T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法.pdf(401.15 KB)
