椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法（GB/T 31225-2014），该标准的归口单位为全国纳米技术标准化技术委员会，英文名为Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer。
椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法（GB/T 31225-2014）是在2014-09-30发布，在2015-04-15开始实施。
本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm～l 000 nm厚的二氧化硅薄层厚度,其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。
本标准文件共有10页。
GB_T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法.pdf
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