半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)（GB/T 29332-2012），该标准的归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会，英文名为Semiconductor devices. Discrete devices. Part 9:Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)。
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)（GB/T 29332-2012）是在2012-12-31发布，在2013-06-01开始实施。
该标准采用了标准IEC 60747-9-2007,IDT。
本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。
本标准文件共有55页。
GB_T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分_绝缘栅双极晶体管(IGBT).pdf
(1.33 MB)
|
|
