用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程（GB/T 29057-2012），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会，英文名为Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy。
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程（GB/T 29057-2012）是在2012-12-31发布，在2013-10-01开始实施。
该标准采用了标准SEMI MF1723-1104,MOD。
本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷,或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝,或二者兼有)及碳杂质。本标准中适用的杂质浓度测定范围:施主和受主杂质为(0. 002～100) ppba(十亿分之一原子比),碳杂质为(0.02～15) ppma(百万分之一原子比)。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。
本标准文件共有16页。
GB_T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程.pdf
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