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JC/T 2133-2012 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 —电感耦合等离子体原子发射光谱法

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本标准为JC/T 2133-2012,标准的中文名称为半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 —电感耦合等离子体原子发射光谱法,标准的英文名称为Determination of impurities in silica sol for polishing solution in semiconductor industry. Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method,本标准在2012-12-28发布,在2013-06-01开始实施。
本标准规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的方法。本标准适用于半导体化学机械抛光(CMP)中抛光液用的各种硅溶胶。杂质元素包括:铝、钡、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、钛、锌、锆等14中元素。
本标准文件共有11页。
JC_T 2133-2012 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 —电感耦合等离子体原子发射光谱法.pdf (328.95 KB)
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a988yy 发表于 2022-5-1 18:23 | 显示全部楼层
下载很快
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阿锋 发表于 2022-6-12 19:29 | 显示全部楼层
看看。。。
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