本标准为YS/T 839-2012，标准的中文名称为硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法，标准的英文名称为Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry，本标准在2012-11-07发布，在2013-03-01开始实施。
本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜,满足一定条件时,方可采用本方法。
本标准文件共有11页。 YS_T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法.pdf(393.75 KB)
