本标准为GB/T 26068-2010，标准的中文名称为硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法，标准的英文名称为Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance，本标准在2011-01-10发布，在2011-10-01开始实施。
本标准作废日期为2019-11-01。被标准GB/T 26068-2018替代。
本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
本标准文件共有25页。
GB_T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法.pdf
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