GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

嫖娼大佬 · 发表于 2021-4-11 11:01

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法（GB/T 26066-2010），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，英文名为Practice for shallow etch pit detection on silicon。
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法（GB/T 26066-2010）是在2011-01-10发布，在2011-10-01开始实施。
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检验方法。本标准适用于检测(111)或(100)晶向的P型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0.001Ω·cm。
本标准文件共有7页。

GB_T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法.pdf (182.17 KB)

ghc · 发表于 2022-4-24 22:49

很给力~

884480065 · 发表于 2024-6-1 00:00

感谢分享

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GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

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