本标准为GB/T 24581-2009，标准的中文名称为低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法，标准的英文名称为Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities，本标准在2009-10-30发布，在2010-06-01开始实施。
该标准采用了标准SEMI MF1630-0704,IDT。
本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B) 、磷(P) 、砷(As) 、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10^(-9)～5.O×10^(-9))a。每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到,并给出了对每个元素的校准因子。
本标准文件共有10页。
GB_T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf
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