半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范（GB/T 6351-1998），该标准的归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会，英文名为Semiconductor devices. Discrete devices. Part 2:Rectifier diodes Section One. Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes)1,ambient and case-rated,up to 100A。
半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范（GB/T 6351-1998）是在1998-11-17发布，在1999-06-01开始实施。
该标准采用了标准IEC 60747-2-1-1989,IDT。
本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。本标准是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》(IEC 747-10:1984)和GB/T 12560-1990《半导体器件 分立器件分规范》(IEC 747-11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。
本标准文件共有13页。
GB_T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分_整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范.pdf
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