半导体分立器件 2CW3016～3051型硅电压调整二极管详细规范（SJ 20188-1992），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage regulator diodes for types 2CZ5550 through 2CZ5554。
半导体分立器件 2CW3016～3051型硅电压调整二极管详细规范（SJ 20188-1992）是在1992-11-19发布，在1993-05-01开始实施。
本规程规定了2CW3016～3051型硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
本标准文件共有11页。
SJ 20188-1992 半导体分立器件 2CW3016～3051型硅电压调整二极管详细规范.pdf
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