本标准为SJ 20186-1992，标准的中文名称为半导体分立器件 2CW2970～3015型硅电压调整二极管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage regulator diodes for types 2CW2970～3015，本标准在1992-11-19发布，在1993-05-01开始实施。
本规范规定了2CW2970～3015型的B型(标准极性)、RB型(反极性)硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。该器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
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SJ 20186-1992 半导体分立器件 2CW2970～3015型硅电压调整二极管详细规范.pdf
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