半导体分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范（SJ 20176-1992），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of types 3DG3499 and 3DG3440。
半导体分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范（SJ 20176-1992）是在1992-11-19发布，在1993-05-01开始实施。
本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管的详细要求。该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
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SJ 20176-1992 半导体分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范.pdf
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