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SJ 20014-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3CG110,3DG130,3DG182 型硅小功率晶体管详细规范

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2422194990 发表于 2021-4-11 13:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
本标准为SJ 20014-1992,标准的中文名称为半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3CG110,3DG130,3DG182 型硅小功率晶体管详细规范,标准的英文名称为Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP  silicon low-power transistor for types 3CG110 GP、GT and types GCT classes,本标准在1992-02-01发布,在1992-06-01开始实施。
本规范规定了3CG11OB、3CG11OC型PNP硅小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。
本标准文件共有11页。
SJ 20014-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3CG110,3DG130,3DG182 型硅小功率晶体管详细规范.pdf (1.62 MB)
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543923279 发表于 2022-2-12 13:29 | 显示全部楼层
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黑米 发表于 2022-10-15 11:56 | 显示全部楼层
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