半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管（SJ 20013-1992），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS10 GP, GT and GCT classes。
半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管（SJ 20013-1992）是在1992-02-01发布，在1992-05-01开始实施。
本规范规定了CS10型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提使产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。
本标准文件共有10页。
SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.pdf
(1.57 MB)
|
|
