本标准为SJ 20011-1992，标准的中文名称为半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS1 GP, GT and GCT classes，本标准在1992-02-01发布，在1992-05-01开始实施。
本规范规定了CSl型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
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SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf
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