《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》（GB/T 41153-2021），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会，英文名为Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry。
《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》（GB/T 41153-2021）是在2021-12-31发布，在2022-07-01开始实施。
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GB_T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法.pdf
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