本标准为GB/T 32282-2015，标准的中文名称为氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法，标准的英文名称为Test method for dislocation density of GaN single crystal. Cathodoluminescence spectroscopy，本标准在2015-12-10发布，在2016-11-01开始实施。
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。本标准适用于位错密度在1X10 3个/cm2～5X10 8个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。
本标准文件共有8页。 GB_T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法.pdf(482.78 KB)
