本标准为SJ/T 11552-2015，标准的中文名称为以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量，标准的英文名称为Test methods for measurement of interstitial oxygen content of silicon wafers by infrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle，本标准在2015-10-10发布，在2016-04-01开始实施。
本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。本标准适用于测试室温下电阻率大于5Ωcm的硅单晶中间隙氧含量，特别适用于薄硅片样品中氧含量的测定。氧含量的有效范围从1×10 ^16atcm^-3至硅单晶中间隙氧的最大固溶度。
本标准文件共有9页。 SJ_T 11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量.pdf(6.36 MB)
