SJ 20068-1992 半导体分立器件 2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管详细规范:本标准为SJ 20068-1992，标准的中文名称为半导体分立器件 2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete device. Detail specification for lower noise for silicon voltage reference diode for type 2DW14~18，本标准在1992-11-19发布，在1993-05-01开始实施。
本规范规定了2DW 14～18型低噪声硅电压基准二极管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT)。
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SJ 20068-1992 半导体分立器件 2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管详细规范.pdf