SJ 20015-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3DG130型NPN硅高频小功率晶体管详细规范:半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3DG130型NPN硅高频小功率晶体管详细规范（SJ 20015-1992），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon high-frequency low-power transistor for types 3DG130 GP、GT and types GCT classes。
半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3DG130型NPN硅高频小功率晶体管详细规范（SJ 20015-1992）是在1992-02-01发布，在1992-05-01开始实施。
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
本标准文件共有10页。
SJ 20015-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 3DG130型NPN硅高频小功率晶体管详细规范.pdf