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SJ_T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底.pdf

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SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底:

半绝缘型碳化硅单晶衬底（SJ/T 11864-2022），英文名为Semi-insulating silicon carbide single crystal substrate。
半绝缘型碳化硅单晶衬底（SJ/T 11864-2022）是在2022-10-20发布，在2023-01-01开始实施。
本文件规定了半绝缘型碳化硅（SiC）单晶衬底的术语、分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本文件适用于经抛光后制备的Φ50.8 mm，Φ76.2 mm，Φ100.0
mm，Φ150.0 mm 半绝缘型 SiC 衬底，晶型为 4H。
本标准文件共有11页。

标准封面截图：
SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底

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