本标准为SJ/T 11849-2022，标准的中文名称为半 导 体 分 立 器 件3DG3500、3DG3501 型 NPN硅高频小功率晶体管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of 3DG3500 and 3DG3501，本标准在2022-10-20发布，在2023-01-01开始实施。
本文件规定了3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率双极型晶体管（以下简称器件）的详细要求。
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SJ_T 11849-2022 半 导 体 分 立 器 件3DG3500、3DG3501 型 NPN硅高频小功率晶体管详细规范.pdf