SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度:本标准为SJ/T 2658.8-2015，标准的中文名称为半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度，标准的英文名称为Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode. Part 8:Radiant intensity，本标准在2015-10-10发布，在2016-04-01开始实施。
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
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SJ_T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分_辐射强度.pdf