掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程（GB/T 13389-1992），该标准的归口单位为无，英文名为Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon。
掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程（GB/T 13389-1992）是在1992-02-19发布，在1992-10-01开始实施。
它在2015-09-01作废。被标准GB/T 13389-2014替代。
该标准采用了标准ASTM F723,MOD。
本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。本标准适用于掺杂剂浓度10^1^2～10^2^1cm^-^3(电阻率0.0001～10,000Ω·cm)掺硼硅单晶和10^1^2～5×10^2^0cm^-^3(电阻率0.0002～4,000Ω·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算,也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
本标准文件共有19页。
GB_T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程.pdf
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