掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程（GB/T 13389-2014），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会;全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会，英文名为Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon。
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程（GB/T 13389-2014）是在2014-12-31发布，在2015-09-01开始实施。
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂荆浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度10(14)cm-3～1×1020cm-3,掺磷浓度3×10(13)cm-3～1×10(20)cm-3,掺砷浓度10(19)cm-3～6×10(20)cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶渗杂剂浓度可扩展到10(12)cm-3。本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。
本标准文件共有29页。
GB_T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程.pdf
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