SJ 20635-1997 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法:本标准为SJ 20635-1997，标准的中文名称为半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法，标准的英文名称为Test method for residual impurities concentration in microzone of semi-insulating gallium arsenide，本标准在1997-06-17发布，在1997-10-01开始实施。
本标准规定了厚度为0.4～2.0mm的半绝缘砷化镓晶片中碳、EL2、铬和硅浓度的微区测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓晶片中主要剩余杂质碳、EL2、铬和硅浓度的测定。
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