碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法（YS/T 1600-2023），英文名为Determination of trace impurity elements in silicon carbide single crystal-Glow discharge mass spectrometry。
碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法（YS/T 1600-2023）是在2023-04-21发布，在2023-11-01开始实施。
本文件规定了碳化硅单晶中杂质元素含量的辉光放电质谱测定方法。本文件适用于碳化硅单晶中杂质元素含量的测定。
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YS_T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法.pdf